本文摘要：近几年，随着我国LED产业的较慢发展，我国外延芯片产业规模也获得了显著快速增长。2006至2013年间，产值规模快速增长10倍，年均填充增长率多达30%，显著慢于国际同期水平。特别是在是在2010年后，随着我国外延芯片生产能力的集中于获释，产业规模很快不断扩大。2013年，我国芯片环节产值超过105亿元，增幅31.5%。 2013年随着MOCVD生产能力之后获释而使LED芯片产量大幅度快速增长61%，超过2805亿颗。其中GaN芯片全年产量为1800亿颗，增幅为58.5%。

近几年，随着我国LED产业的较慢发展，我国外延芯片产业规模也获得了显著快速增长。2006至2013年间，产值规模快速增长10倍，年均填充增长率多达30%，显著慢于国际同期水平。特别是在是在2010年后，随着我国外延芯片生产能力的集中于获释，产业规模很快不断扩大。2013年，我国芯片环节产值超过105亿元，增幅31.5%。

　　2013年随着MOCVD生产能力之后获释而使LED芯片产量大幅度快速增长61%，超过2805亿颗。其中GaN芯片全年产量为1800亿颗，增幅为58.5%。

随着标准化灯光市场的加快启动，预计2014年以后整个芯片市场产量规模将快速增长，增长速度将维持50%左右。

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